GE12050EEA3
- Производитель:
- GE Aerospace
- номер части:
- GE12050EEA3
- Категория:
- Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
- Описание:
- 1200V 475A 6-Pack SiC Module
- Таблицы данных:
- Статус RoHS:
-
Lead free/Rosh Compliant
- В наличии:
- 5,481
Технические характеристики
- ТИП
- ОПИСАНИЕ
- Производитель :
- GE Aerospace
- Категория :
- Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
- Configuration :
- 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 475A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 1200V (1.2kV)
- FET Feature :
- Silicon Carbide (SiC)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 1248nC @ 18V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 29300pF @ 600V
- Mounting Type :
- Chassis Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (Tc)
- Package / Case :
- Module
- Power - Max :
- 1250W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 4.4mOhm @ 475A, 20V
- Supplier Device Package :
- Module
- Technology :
- Silicon Carbide (SiC)
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 4.5V @ 160mA
Запросить цену (RFQ)
пожалуйста, отправьте следующую информацию
- * номер части
- Производитель
- Количество
- * Имя
- Компания
- * Электронная почта
Способ оплаты
-
Комиссия взимается в соответствии с правилами HSBC. -
Комиссия взимается в соответствии с правилами PayPal. -
Комиссия взимается по правилам WESTERN UNION.
Информация о доставке
-
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны. -
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны. -
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны. -
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны. -
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны. -
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны. -
Базовая стоимость доставки составляет от 40 долларов США в зависимости от зоны и страны.
Copyright © All Rights Reserved.